8. Unipoláris tranzisztorok

iDevice ikon Bevezetés

Rövidített elnevezésük FET, amely az angol - Field Effect Transistor - kifejezés mozaikszava. Működésük egy félvezető kristályból álló csatorna vezetőképességének külső elektromos tér segítségével való változtatásán alapszik. Az elektromos teret egy kapunak nevezett vezérlőelektróda segítségével hozzák létre. Ez a külső tér a csatorna keresztmetszetét módosítja, ezért változtatja a csatorna vezetőképességét.

A FET kialakakítása többféle lehet, megkülönböztetünk záróréteges (JFET) és szigetelt kapuelektródás (MOSFET) térvezérlésű tranzisztorokat. Ezen kívül a MOSFET-eknek két típusáról, a növekményes és a kiürítéses típusokról beszélhetünk. A térvezérlésű tranzisztorok tulajdonságai és vezérlése jelentősen eltér a bipoláris tranzisztorokétól. Előnyös tulajdonságai: a nagy értékű bemeneti ellenállás, egyszerűbb gyártástechnológia, a kisebb csatornazaj, a kisebb vezérlő teljesítmény igény, a kisebb helyigény az integrált áramkörök megvalósításánál. Ugyanakkor jóval érzékenyebb, könnyebben tönkretehető elemekről van szó.